型号 | IRF6644TR1 |
厂商 | International Rectifier |
描述 | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN |
IRF6644TR1 PDF | |
代理商 | IRF6644TR1 |
产品变化通告 | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
标准包装 | 1,000 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 10.3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.8V @ 150µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 47nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MN |
供应商设备封装 | DIRECTFET? MN |
包装 | 带卷 (TR) |